En la presente Tesis se han caracterizado y optimizado celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) mediante el empleo de técnicas numéricas. El a-Si:H es un material atractivo para celdas solares porque puede ser depositado en grandes áreas y a bajas temperaturas lo que permite reducir sus costos de fabricación. La calidad eléctrica del a-Si:H y la eficiencia de conversión de sus celdas solares depende críticamente de la densidad de defectos (DOS) presente en la banda prohibida (“gap”). La DOS se evalúa recurriendo a modelos de primeros principios conocidos con el nombre de “Defect Pool” (DPM) que fueron desarrollados basados en conceptos provenientes de la termodinámica. El aspecto original de esta Tesis consiste en la utilización del modelo DPM, capaz de predecir la densidad de “dangling bond” (DB) a partir de las condiciones de crecimiento de la muestra, para reproducir las curvas características de celdas de a-Si:H en sus estados inicial y estabilizado. Se discuten las versiones más difundidas en la literatura del modelo DPM, puntualizando las diferencias que existen entre ellas y sus consecuencias sobre el modelado de las celdas solares p-i-n de a-Si:H.